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上海微电子装备(重磅进展!清华自主光刻机有望解决卡脖子核心难题,谁最受益)

 2022-09-02 13:03  阅读 9

摘要:首先,澄清一点,清华并没有自主研发光刻机。只是报告了一种新型粒子加速器光源 “ 稳态微聚束 ”( SSMB )的首个原理验证实验。清华物理学教授唐传祥表示,基于SSMB的EUV光源有望

首先,澄清一点,清华并没有自主研发光刻机。只是报告了一种新型粒子加速器光源 “稳态微聚束”(SSMB)的首个原理验证实验。清华物理学教授唐传祥表示,基于SSMB的EUV光源有望解决自主研发光刻机中最核心的卡脖子难题。其次,SSMB技术适用于EUV光刻机的光源系统,这就为国产EUV光刻机需要的光源提供了技术支撑。最后,回到题主的问题,最受益的自然是研发光刻机的单位。下面详细了解一下。

1、SSMB原理是什么?

根据清华大学工程物理系唐传祥研究组与合作团队在《自然》上发表的研究论文《稳态微聚束原理的实验演示》中可以看到。SSMB工作原理就是利用一定波长的激光操控位于储存环MLS内的电子束,使电子束绕环一整圈后形成精细的微结构,也即微聚束。然后,微聚束在激光波长及其高次谐波上辐射出高强度的窄带宽相干光。


原理听起来很简单,但过程却不简单。首先需要将电子束送入一个环形加速器。而电子在这个环形加速器中运行时,加速器的磁场会让电子在改变运动方向的同时,释放同步辐射。而这个辐射会因为衰减而产生辐射阻尼。辐射阻尼会使电子振幅越来越小,这就让电子束流的尺寸也变得原来越小。这个缩小的电子束流就是微聚束。微聚束的波长在激光波长范围时,就会辐射出高强度的窄带宽相关光。

2、SSMB能为EUV光刻机做什么?

在芯片制造领域,大家都知道光刻机是不可缺少的高精密核心装备,芯片的制程工艺和光刻机的曝光分辨率有很大关系,而光刻机的曝光分辨率又和光源的波长息息相关。50多年来,光刻机企业都在不断缩小光刻机光源的波长,现在ASML最先进的EUV光刻机采用的是13.5nm的极紫外光。它采用的是高能脉冲激光轰击液态锡靶,形成等离子体然后产生波长13.5纳米的EUV光源,功率约250瓦。


众所周知,5nm及以下的芯片必须要极紫外光的EUV光刻机才能完成。现在唐传祥研究组研发的SSMB技术,可以通过稳态微聚束的电子流可以激发窄带宽相关光。这个光源的波长可覆盖从太赫兹到极紫外EUV波段。也就是说,它有可能成为EUV光刻机光源的新技术。


同时,基于SSMB技术的光源,拥有高功率、高 重频、窄带宽的特点。而这些特点也正是EUV光刻机希望提升的地方。EUV光刻机光源的功率越高,芯片刻录速度就越快。光源波长越短,芯片工艺的纳米数可以做到越小。所以,SSMB可以为国产EUV光刻机垫定技术基础,为解决卡脖子问题又迈进了一步。但要真正获得成功,还需要上下游产业链的配合。


3、受益单位

既然SSMB的技术原理主要利好光刻机的光源,受益单位自然也就这些生产光刻机的企业。以下这些企业都是中国生产光刻机相关的企业。

  • 英唐智控:公司2012年收购深圳青岛光电有限公司100%股权,2020年度完成了对日本先锋微技术100%股权的收购事项,先锋微技术自有的生产设备中包含有日本产的光刻机设备,主要用于模拟芯片的制造。
  • 奥普光电:公司产品可以用于光刻机的光学系统中,公司是长春光机所控股下的唯一上市公司平台,90nm光刻机曝光系统是长春光机所联合其他单位在国家专项资金的支持下开展的研发项目。
  • 苏大维格:自主研发制造的激光直写光刻设备。
  • 张江高科:参股公司上海微电子是国内光刻机研发制造领先企业。
  • 上海微电子装备有限公司:主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务。是国产光刻机的“一哥”,它计划在2021年交付第一台国产28nm光刻机。

虽然SSMB有利于这些企业,但是还需要时间将技术转化生产力。


总结

这次清华大学工程物理系唐传祥研究组发布的SSMB技术,是EUV光刻机领域的一个重大突破。为国产EUV光刻机垫定了技术基础,也为将来不被卡脖子扫平了一个障碍。

关键字: 上海 / 重磅 / 自主 / 清华 / 装备 / 微电子 / 进展 / 
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