答案：不能！

详细原因，我复制了从我回答的另外一个问题的答案过来，仅供参考。

要想清楚了解两者区别，我们先来分别看一下国内首台超分辨率光刻机的一些特性，以及目前世界上最先进的ASML的NXE 3400B光刻机。

关于国产光刻设备，先看来看军报的新闻报道

国产首台超分辨率光刻设备11月29日通过验收，这是我国成功研制出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造10纳米级别的芯片。中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示，该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过了国外相关知识产权壁垒。

目前已经量产出货的最先进的光刻机，是来自荷兰的ASML的NXE 3400B，该光刻机的光源使用的是激光等离子源产生的约13.5nm的极紫外波长。主要运用于7nm及5nm的芯片生产，目前已经有台积电，三星，英特尔采购，国内中芯国际也花费超过1亿美元购入一台NXE3400B。

二者区别

1. 光刻技术基础。

此次的国产光刻设备，采用的表面等离子体超分辨光刻，也就是surface plasma，我们也把其称之为表面等离子超衍射光刻，这是最近十几年兴起的新技术。这种光刻的工作原理是入射光照射在透镜表面的小探针上，从而激发产生plasma，产生波长非常短的等离子体，然后在光刻胶上刻出非常小的图形。简称SP光刻。

而ASML商用的光刻机，NXT系列采用AiF, 将激光束经过一些列整形后，投射经过reticle，在投射到晶元硅片上。

2. 光刻的晶元尺寸不同。

国产首台超分辨率光刻设备目前展示光刻晶元为4寸，该尺寸属于较小类型，非主流的12寸或者8寸。而目前主流光刻机生产的硅片为12寸，或者8寸。

3. 对于此次的的国产光刻机，以目前的技术能力，只能做周期的线条和点阵，是无法制作复杂的IC需要的图形的。更进一步，以光电所目前的实力，IC制造需要的超高精度对准技术，也是无法实现的。

而ASML的最先进机型，NXE3400B已经出货。三星已经用EUV研发出7nm工艺，即将投入生产7nm芯片，每小时能光刻125片12寸硅片。

值得注意的是，国产首台超分辨率光刻设备所采用的SP光刻，主要缺点就是聚焦的面积非常小，属于接触式光刻，易产生缺陷，且因是直写式光刻，所以生产效率很低，适用于特殊应用，类似的应用范围是光纤领域，5G天线，或者是如演示的用于科研领域的单光子探测器。这对于实验室科研，军工，有一定的意义，可以一定程度上替代现在的e beam光刻。另一方面，目前这个技术也具有图形粗糙度糟糕的特点，图像保真度非常低，只能作为技术验证，不能作为真实生产，更不要说量产可能了。

ASML的光刻机，它的核心技术应该是在于精度的控制，在完美控制精度的同时，不断提高光刻的效率，才能得以商业化。目前国产光刻机，最大的问题可能是这两个：1. 对精度的控制仅能在4寸的晶元上，做线条和点阵。目前主流12寸晶元的精度控制控制可能还欠缺，无法对复杂的电路进行光刻，也是表现为精度控制不足。 2. 光刻效率。每小时能刻出多少片晶元呢？

如有未尽之言，或是错误，日后想起再补充以及更正。谢谢。